芯片在通电状态下出现漏电、闸极氧化层缺陷、ESD 损伤、闩锁效应等失效时，缺陷点往往伴随微弱发光。InGaAs EMMI 用高灵敏度红外探测器捕捉这些光子，把失效点定位到具体坐标，为后续开封、去层、SEM 与 FIB 分析指路。适合已可加电的芯片、晶圆与封装器件的失效点定位。

一、这是什么服务

InGaAs EMMI（微光显微镜，Emission Microscopy）属于失效点定位分析环节：给样品施加偏压，让缺陷点产生电子-空穴复合发光，探测器把亮点位置与版图坐标对应起来，从图像直接读出缺陷在电路中的位置。微谱将 InGaAs EMMI 与 OBIRCH、Thermal EMMI、C-AFM 并列配置于失效点定位分析平台，可与电性失效分析（EFA）和非破坏性测试（NDT）衔接。

二、设备配置

InGaAs EMMI 一套，探测器配备制冷系统，制冷温度低*** -70℃，用于压低暗噪声、捕捉微弱发光信号。

物镜五组：0.8×、5×、20×、50×、100× 各一组，覆盖器件整体到微观区域的连续观测。

配套电性验证：IV 曲线仪、探针台、示波器、LCR、绝缘电阻测试仪，用于加电前后确认失效现象。

三、关键参数

四、能定位什么问题

漏电流路径与漏电（Leakage）位置

闸极氧化层缺陷（Gate oxide defects）

静电放电破坏（ESD Failure）

门锁效应（Latch Up）

接面漏电（Junction Leakage）

顺向偏压（Forward Bias）异常点

以上场景经 InGaAs EMMI 定位亮点位置后，可推知电路中的缺陷位置，帮助确定后续失效分析的取样点。

五、测试对象与项目

六、适用样品与配合条件

样品需可通电，并将失效点引出到可加电的引脚；封装形态与电引出方式按项目确认。

建议提供失效样品的同时提供同批次正常样品或失效现象描述（失效电参数、发生批次与工况），便于工程师设置加电条件。

加电条件与偏置方案由工程师结合失效现象评估后确认。

七、局限与边界

EMMI 属于发光型定位，对无明显发光信号的电阻性缺陷（如低阻抗短路）灵敏度有限，此类问题可改用 Thermal EMMI（热源定位）或 OBIRCH（电阻变化定位），见本站对应页面。

发光信号强弱与缺陷类型、加电条件相关，个别失效现象可能需要多次调整偏置方案。

是否适用、预期效果，以工程师对失效现象的评估为准。

八、资质与交付

微谱是 CNAS 认可、CMA 资质认定的第三方检验检测机构，实验室运行 ISO/IEC 17025 质量管理体系，业务流程由 LIMS 系统管控。分析测试交付原始数据与谱图，报告可通过报告编号溯源核验。按照市场监管总局「一单一库」管理要求，检验检测能力以总局能力项目库为准（查询入口 cma.caqit.org.cn）；部分仪器分析项目属于非标方法，报告是否标注 CMA 标志以能力核对结果为准。

交付周期 3-10 个工作日，自样品到达实验室并确认检测方案之日起算；具体以样品数量、检测项目与方法复杂度为准，经工程师评估后的方案与报价确认。

九、常见问题

问：EMMI 定位出亮点之后能直接给出根因吗？

答：EMMI 给出的是失效点位置。要落到根因，还需结合开封、去层、SEM-EDS、FIB-TEM 等物理分析手段对定位点做结构观察，微谱可在同一平台内衔接完成。

问：样品必须开封后才能测吗？

答：不一定。InGaAs 探测器对近红外波段响应，部分场景可透过硅衬底观测；是否需要开封以工程师评估为准。需要从背面观测时，样品减薄等前处理也可按项目安排。

问：没有良品对照可以做吗？

答：可以做定位，但建议提供失效电参数与工况描述；有正常样品对照时，加电条件设置与结果判读更可靠。

十、关于微谱

微谱是一家综合性第三方检验检测机构，提供分析测试、检测评价、研发等服务。微谱在全国 30 多个城市设有分子公司，建有 60 多个专业实验室，配置大型精密检测仪器 2000 多台，失效分析与材料表征设备覆盖 EMMI、OBIRCH、Thermal EMMI、C-AFM、SEM-EDS、FIB、TEM 等，可在同一平台内完成从失效点定位到根因分析的全链条。

十一、关联内容

Thermal EMMI 芯片发热与短路点热源定位-微谱（热源型缺陷定位）

OBIRCH 芯片短路漏电定位-微谱（电阻变化型缺陷定位）

FIB 聚焦离子束定点制样与微区加工-微谱（定位后取样）

TEM 截面与纳米结构分析-微谱（定位点结构观察）