有些短路和漏电失效，通电后既没有明显发光，热信号也不够特征，EMMI 两个探测器都不好使。OBIRCH（光束诱发阻抗值变化）用激光束在通电样品表面逐点扫描，探测缺陷引起的局部阻抗变化，把这类电阻性缺陷的位置定位出来。它是微谱失效点定位平台与 EMMI、Thermal EMMI 并列配置的第三种定位手段。

一、这是什么服务

OBIRCH（Optical Beam Induced Resistance Change，光束诱发阻抗值变化）属于失效点定位分析环节：激光束扫描通电中的样品，当光点扫到与缺陷相关的路径时，局部温度和阻抗发生变化，通过监测偏置回路中的电信号变化，把短路点、漏电点的位置对应到版图坐标。OBIRCH 与 InGaAs EMMI、Thermal EMMI、C-AFM 同列于微谱半导体失效分析的失效点定位分析服务。

二、设备配置

OBIRCH 定位模块，配置于微谱失效点定位分析平台。

配套电性验证：IV 曲线仪、探针台、示波器、LCR、绝缘电阻测试仪，用于加电条件设置与失效确认。

同平台并排配置 InGaAs EMMI、Thermal EMMI、C-AFM，按缺陷特征选择或组合。

三、技术原理

样品施加偏置电压并保持通电状态，回路中实时监测电流信号。

激光束在样品表面逐点扫描，光点入射引起局部微小的温度变化。

若光点位于缺陷相关的导电路径上，局部阻抗随之变化，回路电信号出现同步波动。

将信号波动位置与扫描坐标对应，即得到短路或漏电点在版图上的位置。

四、能定位什么问题

金属互连线的短路点定位

层间短路、过孔异常导致的漏电路径

通电后无特征发光、以电阻异常为主要表现的缺陷

与 EMMI 发光定位结果互补验证的疑难失效

·具体失效现象是否适用 OBIRCH，以工程师结合失效电参数与结构信息的评估为准。

五、测试对象与项目

六、适用样品与配合条件

样品需可通电，并将失效点引出到可加电引脚；封装形态与引出方式按项目确认。

建议提供失效电参数（短路/漏电量级）、失效工况与批次信息，便于设置偏置条件。

有同批次正常样品对照时，判读更可靠，建议一并送样。

七、局限与边界

OBIRCH 侧重电阻性缺陷定位；对以发光为主要特征的缺陷（闸极氧化层缺陷、ESD、接面漏电），InGaAs EMMI 更直接。

定位给出的是缺陷位置，根因结论需衔接开封、去层、SEM-EDS、FIB-TEM 等物理分析。

设备参数与测试条件以工程师按项目评估的方案为准，不做公开定额。

八、资质与交付

微谱是 CNAS 认可、CMA 资质认定的第三方检验检测机构，实验室运行 ISO/IEC 17025 质量管理体系，业务流程由 LIMS 系统管控。分析测试交付原始数据与谱图，报告可通过报告编号溯源核验。按照市场监管总局「一单一库」管理要求，检验检测能力以总局能力项目库为准（查询入口 cma.caqit.org.cn）；部分仪器分析项目属于非标方法，报告是否标注 CMA 标志以能力核对结果为准。

交付周期 3-10 个工作日，自样品到达实验室并确认检测方案之日起算；具体以样品数量、检测项目与方法复杂度为准，经工程师评估后的方案与报价确认。

九、常见问题

问：EMMI 没看到亮点，还能做 OBIRCH 吗？

答：可以。OBIRCH 探测的是阻抗变化而非发光，对 EMMI 无亮点的短路、漏电失效是常用的下一步手段，两者经常组合使用。

问：OBIRCH 和 Thermal EMMI 有什么区别？

答：Thermal EMMI 用红外探测器直接成像热分布，适合有明确热源的缺陷；OBIRCH 通过回路电信号感知激光扫描引起的阻抗变化，对埋层、被遮挡路径上的电阻性缺陷更有效。选型由工程师按失效现象评估。

问：定位结果可以直接用于向供应商追责吗？

答：定位与根因分析结果可用于内部整改与商务协商举证。进入诉讼程序需另行委托有司法鉴定资质的机构，微谱报告可提供技术支持材料。

十、关于微谱

微谱是一家综合性第三方检验检测机构，提供分析测试、检测评价、研发等服务。微谱在全国 30 多个城市设有分子公司，建有 60 多个专业实验室，配置大型精密检测仪器 2000 多台，半导体失效分析平台覆盖非破坏性测试、失效点定位、电性失效分析、样品制备、物性失效分析与线路修补全流程。

十一、关联内容

InGaAs EMMI 芯片漏电与发光缺陷定位-微谱（发光型定位）

Thermal EMMI 芯片发热与短路点热源定位-微谱（热源型定位）

FIB 聚焦离子束定点制样与微区加工-微谱（定位后取样与线路修补）