芯片封装打线短路、内部线路短路、介电层漏电这类失效，缺陷点在通电时会发热而不一定发光。Thermal EMMI 用高灵敏度 InSb 探测器捕捉热辐射分布，把热源位置定位出来，还能对热源在深度方向做预估，支持未开盖状态的故障点定位。适合低阻抗短路与发热型失效的定位分析。

一、这是什么服务

Thermal EMMI（热发射显微镜）属于失效点定位分析环节：给通电样品扫描成像，利用高灵敏度 InSb 探测器侦测缺陷位置产生的热辐射分布，定位失效所在位置，并可估算热源在深度方向的距离。与 InGaAs EMMI（发光型）互为补充：发光型捕捉光子，热型捕捉热量，两者覆盖的缺陷类型不同。

二、设备配置

Thermal EMMI（InSb 探测器）一套，中红外波段响应。

配套电性验证：IV 曲线仪、探针台、示波器、LCR、绝缘电阻测试仪。

与 InGaAs EMMI、OBIRCH、C-AFM 同平台配置，可按缺陷类型选择或组合使用。

三、关键参数

四、能定位什么问题

芯片封装打线与芯片内部线路短路

介电层（Oxide）漏电

晶体管和二极管的漏电

TFT-LCD 面板与 PCB/PCBA 的金属线路缺陷和短路

ESD 闩锁效应

3D 封装（Stacked Die）失效点的深度预估

芯片未开盖状态下的故障点定位

低阻抗短路（<1Ω）问题分析

五、测试对象与项目

六、适用样品与配合条件

样品需可通电并引出失效点；未开盖器件可直接观测是其特点之一，是否开盖以工程师评估为准。

建议提供失效电参数（短路电阻量级、漏电流大小）与失效工况描述，便于设置加电条件。

同批次正常样品对照有助于热背景扣除与结果判读，建议一并送样。

七、局限与边界

热定位对发热型缺陷***有效；对通电无明显温升的缺陷，可改用 InGaAs EMMI（发光型）或 OBIRCH。

深度预估为估算性质，**深度需结合断层类手段（如工业 CT、逐层去层）验证。

是否适用、预期效果，以工程师对失效现象的评估为准。

八、资质与交付

微谱是 CNAS 认可、CMA 资质认定的第三方检验检测机构，实验室运行 ISO/IEC 17025 质量管理体系，业务流程由 LIMS 系统管控。分析测试交付原始数据与谱图，报告可通过报告编号溯源核验。按照市场监管总局「一单一库」管理要求，检验检测能力以总局能力项目库为准（查询入口 cma.caqit.org.cn）；部分仪器分析项目属于非标方法，报告是否标注 CMA 标志以能力核对结果为准。

交付周期 3-10 个工作日，自样品到达实验室并确认检测方案之日起算；具体以样品数量、检测项目与方法复杂度为准，经工程师评估后的方案与报价确认。

九、常见问题

问：未开盖的成品芯片能直接定位吗？

答：可以。Thermal EMMI 的应用场景之一就是芯片未开盖的故障点定位侦测，并可对 3D 封装失效点做深度预估，是否需要开封以工程师评估为准。

问：低阻短路用 EMMI 还是 Thermal EMMI？

答：低阻抗短路（<1Ω）问题分析是 Thermal EMMI 的典型应用场景；发光型 EMMI 对这类缺陷灵敏度有限。具体选哪种方法，工程师会结合失效电参数给出建议。

问：定位之后能接着做根因分析吗？

答：可以。微谱在同一平台内配置开封、去层、SEM-EDS、TEM、FIB、EBSD 等物性失效分析手段，定位点可直接衔接结构观察与成分分析。

十、关于微谱

微谱是一家综合性第三方检验检测机构，提供分析测试、检测评价、研发等服务。微谱在全国 30 多个城市设有分子公司，建有 60 多个专业实验室，配置大型精密检测仪器 2000 多台，失效点定位平台并排配置 InGaAs EMMI、Thermal EMMI、OBIRCH、C-AFM，按缺陷类型选择方法，减少样品在不同机构间转运造成的二次损伤。

十一、关联内容

InGaAs EMMI 芯片漏电与发光缺陷定位-微谱（发光型定位）

OBIRCH 芯片短路漏电定位-微谱（电阻变化型定位）

FIB 聚焦离子束定点制样与微区加工-微谱（定位后取样）