失效定位到了某个区域,接下来要回答"这里到底是什么结构、界面有没有变化、成分有没有异常"。TEM(透射电子显微镜)用电子束穿透极薄样品,在纳米到原子尺度给出组织结构、晶体结构、界面状态与成分信息,是判断外延叠层、栅极界面、互连反应等微观根因的核心手段。
一、这是什么服务
TEM 分析属于微谱半导体失效分析的物性失效分析(PFA)环节:加速电子束透射极薄样品并与样品原子相互作用,通过透射与散射信号获得样品纳米尺度下的组织结构、晶体结构和界面微观结构信息,并可对化学成分做定量或半定量分析。截面类样品通常由 FIB 定点制备,或经精研、减薄等手段获得。
二、设备配置
赛默飞 Thermo Scientific Talos F200X G2 S/TEM
日本电子 TEM(配 X 射线能谱仪)
另可按需安排:300kV 双球差矫正透射电子显微镜 Spectra 300(球差电镜)、冷冻 TEM
三、关键参数
Talos F200X G2 S/TEM
参数 | 指标 |
TEM 信息分辨率 | 0.12nm |
STEM HAADF 分辨率 | 0.16nm |
能量分辨率 | ≤136eV(Mn-Kα,10kcps 输出) |
EDX 立体角 | 0.9srad |
***大衍射角 | 24° |
双倾杆***大倾转角 | ±30° |
日本电子 TEM
参数 | 指标 |
点分辨率 | 0.23nm |
线分辨率 | ≤0.1nm@200kV;≤0.14nm@80kV |
STEM 分辨率 | ≤0.19nm |
晶格分辨率 | 0.1nm |
放大倍数 | 50X~2,000,000X |
能谱配件 | X 射线能谱仪有效面积 >120mm²,CCD 相机 4k×4k |
四、能回答什么问题
微观形貌与关键尺寸:薄膜厚度、晶粒尺寸、结构完整性
晶体结构:电子衍射、二维晶格面、明场/暗场成像
界面状态:叠层界面清晰度、界面反应层、扩散与再生长
成分分布:能谱点扫、线扫、面扫,定量或半定量
缺陷观察:位错、层错、空洞、异物夹杂等微观缺陷
五、测试对象与项目
测试对象 | 可开展的项目 |
芯片、晶圆截面 | 叠层结构观察、界面分析、关键尺寸测量 |
粉末、颗粒 | 形貌与尺寸、晶格与衍射、成分分析 |
薄膜样品 | 厚度测量、结晶质量、界面反应 |
配合项目 | FIB 定点制样、EDS 成分mapping、选区衍射 |
六、适用样品
- 粉末样品大于 50mg,液体样品大于 2mL(分散制样)。
- 截面/薄片样品:由 FIB 定点制备,或经精研一体机、电解双喷减薄仪、离子减薄仪制备;微谱具备全套制样手段。
- 球差电镜(Spectra 300)要求块体样品尺寸小于 3mm、观察区域厚度小于 100nm,粉末样品大于 0.5g。
- 样品需适合真空气氛,具体制备路径按项目确认。
七、局限与边界
TEM 观察样品需制备到电子可穿透的厚度,制样环节为破坏性加工,珍贵样品建议先完成无损检查与失效点定位。
成分定量精度受样厚、基体与重叠效应影响,报告按定量/半定量如实表述。
是否适用、采用哪台设备,以工程师按项目评估为准。
八、资质与交付
微谱是 CNAS 认可、CMA 资质认定的第三方检验检测机构,实验室运行 ISO/IEC 17025 质量管理体系,业务流程由 LIMS 系统管控。分析测试交付原始数据与谱图(含明暗场、衍射、EDS 原始数据),报告可通过报告编号溯源核验。按照市场监管总局「一单一库」管理要求,检验检测能力以总局能力项目库为准(查询入口 cma.caqit.org.cn);部分仪器分析项目属于非标方法,报告是否标注 CMA 标志以能力核对结果为准。
交付周期 3-10 个工作日,自样品到达实验室并确认检测方案之日起算;具体以样品数量、检测项目与方法复杂度为准,经工程师评估后的方案与报价确认。
九、常见问题
问:截面样品一定要用 FIB 制备吗?答:定点到具体互连线或接触孔的截面用 FIB ***合适;大范围材料截面可用精研、化学腐蚀、双喷减薄等手段,成本更低。微谱按观察目标选择制样路径。
问:TEM 能测成分吗?答:能。配置能谱仪(EDS)后可做点、线、面成分分析,给出定量或半定量结果;与形貌、衍射数据叠加,可以同时回答"是什么结构"和"是什么成分"。
问:和 SEM 看到的有什么区别?答:SEM 看表面形貌与微区成分,TEM 看样品内部与界面:晶体结构、晶格缺陷、界面反应层这类信息只有 TEM 能给。两者常配合使用。
十、关于微谱
微谱是一家综合性第三方检验检测机构,提供分析测试、检测评价、研发等服务。微谱在全国 30 多个城市设有分子公司,建有 60 多个专业实验室,配置大型精密检测仪器 2000 多台,电镜平台覆盖 TEM、球差电镜、FIB、SEM-EDS、EBSD,制样与观察同平台衔接。
十一、关联内容
FIB 聚焦离子束定点制样与微区加工-微谱(截面样品的定点制备)
InGaAs EMMI 芯片漏电与发光缺陷定位-微谱(观察前的定位环节)


