二次离子质谱仪,是利用质谱法分析初级离子入射靶面后,样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时,一次离子注入被分析样品,把动能传递给固体原子,引起中性粒子和带正负电荷的二次离子发生溅射,然后根据溅射的二次离子的质量信号,对被轰击样品的表面和内部元素分布特征进行分析。二次离子质谱仪分析对象包括金属及合金、半导体、绝缘体、有机物、生物膜等。下面微谱为大家介绍下关于二次离子质谱分析方面知识。
一、二次离子质谱分析
1)、测试范围:
1、掺杂和杂质深度分析
2、浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析
3、芯片分析,芯片结构及杂质元素定性定量分析
4、薄膜的组成和杂质的测量
2)、sims测试样品:
SiC基部分元素定量分析
GaN基(Mg、Si、C、O等)
Si基(C、H、O等)
3)二次离子质谱分析标准:
ASTME1880-1997(2002)用次级离子质谱法(SIMS)对组织低温部分分析规程
ASTME1504-2011次级离子质谱法(SIMS)中质谱数据报告的标准实施规程
ASTME1505-1992(1996)离子移植外标物中SIMS相关灵敏度因数测定指南
ASTME1505-1992(2001)离子移植外标物中SIMS相关灵敏度因数测定指南
ASTME1880-1997用次级离子质谱法(SIMS)对组织低温部分分析规程
二、二次离子质谱可以测什么
二次离子质谱仪分析对象包括金属、有机物、生物膜、半导体、绝缘体等,应用领域包括化学、物理学和生物科学等基础研究,并已遍及到材料科学、薄膜、微电子学等领域。
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